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網(wǎng)口浪涌保護(hù)方案設(shè)計(jì)

2025-02-14 06:02:34 ? 156


針對(duì)客戶端網(wǎng)口浪涌防護(hù)需求(如IEC 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)),推薦以下多級(jí)保護(hù)器件組合,確保通過(guò)浪涌測(cè)試并保護(hù)后端電路安全:


一、 核心保護(hù)器件及作用


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二、 典型電路設(shè)計(jì)(以RJ45網(wǎng)口為例) 


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一級(jí)防護(hù)(GDT):

在每對(duì)差分線(如TX+/TX-)與地之間并聯(lián)GDT,吸收雷擊或EFT能量。

選型要求:直流擊穿電壓≥90V,通流能力≥5kA(8/20μs)。


二級(jí)防護(hù)(TVS):

選用集成TVS陣列(如RClamp0524P),保護(hù)四對(duì)差分線,鉗位電壓≤15V。響應(yīng)時(shí)間<1ns,確保殘壓不損壞PHY芯片。

共模濾波(CMC):抑制浪涌引發(fā)的共模噪聲,提升信號(hào)完整性。

PoE電源保護(hù)(PTC):若支持PoE供電,在電源路徑串聯(lián)PTC,限制過(guò)流。


關(guān)鍵設(shè)計(jì)注意事項(xiàng):

01
PCB布局優(yōu)化

GDT/TVS盡量靠近網(wǎng)口,走線短直,減少寄生電感;

地平面完整,采用多點(diǎn)接地降低阻抗。


02
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)匹配

接觸放電:±8kV(IEC 61000-4-2)需TVS+CMC組合;

浪涌測(cè)試:±4kV(IEC 61000-4-5)需GDT+TVS兩級(jí)防護(hù)。


03
器件選型驗(yàn)證

通過(guò)TLP測(cè)試驗(yàn)證TVS鉗位特性;實(shí)際打浪涌時(shí)監(jiān)測(cè)PHY芯片引腳電壓,確保低于耐壓值(如3.3V PHY芯片要求殘壓<6V)。


三、推薦方案性能指標(biāo)


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四、成本與備選方案


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